🍁 金秋送福,大奖转不停!Gate 广场第 1️⃣ 3️⃣ 期秋季成长值抽奖大狂欢开启!
总奖池超 $15,000+,iPhone 17 Pro Max、Gate 精美周边、大额合约体验券等你来抽!
立即抽奖 👉 https://www.gate.com/activities/pointprize/?now_period=13&refUid=13129053
💡 如何攒成长值,解锁更多抽奖机会?
1️⃣ 进入【广场】,点头像旁标识进入【社区中心】
2️⃣ 完成发帖、评论、点赞、社群发言等日常任务,成长值拿不停
100% 必中,手气再差也不亏,手气爆棚就能抱走大奖,赶紧试试手气!
详情: https://www.gate.com/announcements/article/47381
#成长值抽奖赢iPhone17和精美周边# #BONK# #BTC# #ETH# #GT#
复旦团队研发超快闪存集成工艺:20纳秒超快编程、10年非易失
金十数据8月13日讯,复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上,实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而,如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。本工作将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。