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📅 活動時間：2025年9月25日 18:00 – 10月2日 24:00 (UTC+8)
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理財活動：輕鬆賺取穩定收益
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1️⃣ 在 Gate 廣場發布原創內容，主題需與 0G 或相關活動 有關
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20 名優秀內容創作者，每人 10 USDT
📄 注意事項：
內容必須原創，禁止抄襲或刷量
獲獎者需完成 Gate 廣場身分認證
活動最終解釋權歸 Gate 所有 - 🚗 #Gate广场全民挑战# 第二期 — 哪個幣種從未上線過 Gate Launchpad❓
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🗓️ 截止至 2025 年 10 月 8 日 24:00（UTC+8）
復旦團隊研發超快閃存集成工藝：20納秒超快編程、10年非易失
金十數據8月13日訊，復旦大學周鵬-劉春森團隊前期研究表明二維半導體結構能夠將其速度提升一千倍以上，實現顛覆性的納秒級超快存儲閃存技術。然而，如何實現規模集成、走向真正實際應用仍極具挑戰。同時，研究團隊研發了不依賴先進光刻設備的自對準工藝，結合原始創新的超快存儲疊層電場設計理論，成功實現了溝道長度為8納米的超快閃存器件，是當前國際最短溝道閃存器件，並突破了硅基閃存物理尺寸極限（約15納米）。在原子級薄層溝道支持下，這一超小尺寸器件具備20納秒超快編程、10年非易失、十萬次循環壽命和多態存儲性能。本工作將推動超快顛覆性閃存技術的產業化應用。