GE

GE Aerospace Ціна

GE
₴12 609,93
+₴13,10(+0,10%)

*Дані востаннє оновлено: 2026-04-07 17:55 (UTC+8)

Станом на 2026-04-07 17:55 GE Aerospace (GE) має ціну ₴12 609,93, ринкова капіталізація становить ₴13,11T, співвідношення ціни до прибутку — 37,76, дивідендна прибутковість — 0,54%. Сьогодні ціна акцій коливалася між ₴12 356,85 та ₴12 656,62. Поточна ціна на 2,04% вища за денний мінімум та на 0,36% нижча за денний максимум, з обсягом торгів 1,01M. За останні 52 тижні GE торгувався в діапазоні від ₴8 764,42 до ₴15 204,00, а поточна ціна знаходиться на відстані -17,06% від 52-тижневого максимуму.

Ключові показники GE

Вчорашнє закриття₴12 596,84
Ринкова капіталізація₴13,11T
Обсяг1,01M
Співвідношення P/E37,76
Дивідендна прибутковість (TTM)0,54%
Сума дивідендів₴20,51
Розбавлений EPS (TTM)8,15
Чистий прибуток (фінансовий рік)₴379,79B
Дохід (фінансовий рік)₴2,00T
Дата публікації звіту про прибуток2026-04-21
Оцінка EPS1,63
Оцінка виручки₴464,37B
Кількість акцій в обігу1,04B
Beta (1 рік)1.428
Дата без дивідендів2026-03-09
Дата виплати дивідендів2026-04-27

Про GE

GE Aerospace — американська авіакорпорація, яка займається постачанням реактивних і турбінних двигунів, а також інтегрованих систем для комерційних, військових, бізнес-і загальних авіаційних літаків. Портфель брендів компанії включає Avio Aero, Unison, GE Additive і Dowty Propellers. Вона працює через сегменти Commercial Engines & Services і Defense & Propulsion Technologies. Сегмент Commercial Engines & Services займається проектуванням, розробкою, виробництвом і обслуговуванням реактивних двигунів для комерційних авіалайнерів, а також для бізнес-авіації та авіаційних додатків на основі турбін. Сегмент Defense & Propulsion Technologies пропонує оборонні двигуни та критичні системи для літаків. Компанія була заснована Томасом Едісоном у 1878 році і має штаб-квартиру в Евендейлі, штат Огайо.
СекторПромисловість
ІндустріяАвіація та оборона
Генеральний директорH. Lawrence Culp Jr.
Штаб-квартираEvendale,OH,US
Офіційний вебсайтhttps://www.geaerospace.com
Співробітники (фінансовий рік)57,00K
Середній дохід (1 рік)₴35,10M
Чистий прибуток на одного співробітника₴6,66M

Дізнатися більше про GE Aerospace (GE)

Статті Gate Learn

Astra Nova (RVV) готується до запуску: зростає передтGE-овий ажіотаж, оскільки проєкт Web3 + AI набирає популярності

Astra Nova (RVV) — це провідний проєкт на стадії Pre-TGE, який останнім часом викликав значний інтерес завдяки екосистемі розваг, заснованій на технології Web3 та штучному інтелекті. Запуск проєкту заплановано на 18 жовтня. У цьому звіті висвітлено ключові особливості проєкту, структура токена й можливі перспективи.

2025-10-17

Що являє собою GAEA (GAEA)?

Завдяки збору емоційних даних, розподіленому обчисленню вузлів і блокчейн-рівню розрахунків, Gaea забезпечує більш точне навчання AI та підвищує його здатність реагувати на людську теплоту у взаємодії.

2025-10-14

Актуальні новини щодо акцій GEV і прогноз їх вартості: ключовий вибір, зумовлений впливом штучного інтелекту та підвищенням попиту на енергоресурси

Перегляньте найсвіжіші фінансові результати GEV, аналітичні рейтинги та встановлені цільові ціни. Вивчіть перспективи компанії щодо розвитку AI дата-центрів і участі в енергетичному переході. Оцініть, чи є цей актив вартий уваги для інвестування.

2025-09-23

Поширені запитання GE Aerospace (GE)

Яка сьогодні біржова ціна GE Aerospace (GE)?

x
GE Aerospace (GE) зараз торгується за ціною ₴12 609,93, 24-годинна зміна становить +0,10%. Діапазон торгів за останні 52 тижні: від ₴8 764,42 до ₴15 204,00.

Які найвищі та найнижчі ціни за 52 тижні для GE Aerospace (GE)?

x

Що таке співвідношення ціни до прибутку (P/E) для GE Aerospace (GE)? Що воно означає?

x

Яка ринкова капіталізація GE Aerospace (GE)?

x

Який розмір останнього квартального прибутку на акцію (EPS) для GE Aerospace (GE)?

x

Чи варто зараз купити чи продати GE Aerospace (GE)?

x

Які фактори можуть впливати на ціну акцій GE Aerospace (GE)?

x

Як купити акції GE Aerospace (GE)?

x

Попередження про ризики

Ринок акцій пов’язаний із високим рівнем ризику та цінової волатильності. Вартість ваших інвестицій може як зростати, так і знижуватися, і ви можете не повернути повну суму вкладених коштів. Минулі результати не є надійним показником майбутніх результатів. Перед ухваленням будь-яких інвестиційних рішень уважно оцініть свій інвестиційний досвід, фінансовий стан, інвестиційні цілі та рівень толерантності до ризику, а також проведіть власне дослідження. У разі потреби зверніться до незалежного фінансового консультанта.

Застереження

Вміст цієї сторінки надається виключно з інформаційною метою і не є інвестиційною порадою, фінансовою порадою чи торговою рекомендацією. Gate не несе відповідальності за будь-які втрати або збитки, що виникли внаслідок таких фінансових рішень. Зверніть увагу, що Gate може не надавати повний сервіс на окремих ринках і в окремих юрисдикціях, зокрема, але не обмежуючись, Сполученими Штатами Америки, Канадою, Іраном та Кубою. Для отримання додаткової інформації щодо обмежених локацій, будь ласка зверніться до Користувацької угоди.

Інші торгові ринки

Гарячі публікації про GE Aerospace (GE)

MaticHoleFiller

MaticHoleFiller

04-05 22:05
Оскільки потреби в обчислювальних потужностях для ШІ постійно зростають, а технологія оптичного передавання даних швидко розвивається, монокристалічні пластини з фосфіду індію (InP) як ключовий базовий матеріал мають усі підстави для подальшого розширення ринкового попиту, а на ринку їх навіть називають «твердою валютою» епохи AI-обчислювальних потужностей.   Найбільший в Україні постачальник підкладок із фосфіду індію — Yunnan Germanium Industry (002428.SZ) — нарощує інвестиції в цей вузький напрям. У своїй останній заяві компанія повідомляє, що на другому засіданні дев’ятого скликання ради директорів було схвалено питання «Про впровадження проєкту будівництва пілотної лінії з виробництва високоякісних монокристалічних пластин фосфіду індію», і компанія погодилася, щоб дочірня контролююча компанія Yunnan Xinyau Semiconductor Materials Co., Ltd. (далі — «Yunnan Xinyau») реалізувала цей проєкт.   Згідно з даними, наведеними в заяві, загальний обсяг інвестицій у проєкт становить 189 млн юанів. Yunnan Xinyau, орендуючи виробничі приміщення на наявній виробничій ділянці, проведе адаптивну реконструкцію наявних виробничих ліній, додасть основне технологічне обладнання та допоміжні об’єкти, а на базі наявних потужностей розширить і доповнить виробничу лінію з випуску 300 тис. пластин на рік (у перерахунку на 4 дюйми, включно з 6000 пластинами 6 дюймів) високоякісних монокристалічних пластин фосфіду індію. У підсумку потужність має досягти 450 тис. пластин на рік (у перерахунку на 4 дюйми) високоякісних монокристалічних пластин фосфіду індію. Термін будівництва — 18 місяців, джерело фінансування — власні кошти та кредити фінансових установ.   У заяві зазначено, що, за розрахунками, внутрішня норма прибутковості проєкту сягає 49,51%, а строк окупності інвестицій становить 4,48 року (включно з періодом будівництва). Водночас компанія підкреслює, що розрахунки економічної ефективності ґрунтуються на поточному стані ринку і не є зобов’язанням щодо результатів; реальний ефект залежатиме від прогресу реалізації проєкту, макроекономічного середовища, змін ринку та багатьох інших факторів.   Фосфід індію, будучи напівпровідниковим матеріалом III-V другого покоління, завдяки своїм унікальним фізичним властивостям став ключовим матеріалом у сферах оптичного зв’язку, високочастотних міліметрових пристроїв і оптоелектронних інтегральних схем. Із глобальним експоненціальним зростанням попиту на AI-обчислювальні потужності галузь фосфіду індію отримала важливі можливості для розвитку.   У своїй заяві Yunnan Germanium Industry чітко зазначає, що в останні роки через швидке зростання попиту на ринку оптичного зв’язку високошвидкісні оптичні модулі перейшли на етап масштабного розгортання, а потреба в монокристалічних пластинах фосфіду індію з боку нижчого рівня постачальників (downstream) продовжує розширюватися. Одночасно також висуваються вищі вимоги до розміру та якості, і наявні потужності компанії вже не можуть задовольнити ринковий попит.   У березні цього року Nvidia інвестувала по 2 млрд доларів США у Coherent і Lumentum, а також підписала довгострокові угоди про закупівлі. За цим стоїть головне завдання — забезпечити виробничі потужності глобально найдефіцитніших монокристалічних пластин фосфіду індію та висококласних оптоелектронних компонентів.   Особливо варто звернути увагу на те, що технологічні бар’єри для виробництва фосфіду індію надзвичайно високі: вирощування кристалів потребує дуже високих технологічних порогів. Навіть якщо нові гравці куплять обладнання, у короткостроковій перспективі їм буде складно вирішити проблеми виходу придатної продукції та стабільності, а масове виробництво пластин більшого розміру — ще більш складне завдання. Світовий ринок підкладок із фосфіду індію демонструє високий рівень монополізації: три компанії — Sumitomo (Японія), AXT (США) і JX Metal (Японія) — разом контролюють понад 90% глобальних потужностей.   За умов, коли потужності провідних виробників є дефіцитними, а замовлення вже розписані щонайменше до періоду після 2026 року, інші виробники другого ешелону отримують «вікно можливостей». У недавній розмові з інвесторами Yunnan Germanium Industry зазначала, що в сегменті пластин із фосфіду індію її дочірня контролююча компанія Yunnan Xinyau перейшла на серійні поставки вниз по ланцюгу постачання клієнтам, а також підтримує з клієнтами довгострокове позитивне партнерство та взаємодію.   Крім того, варто зазначити: згідно з повідомленням одного з десяти провідних лабораторій Хубею — лабораторії Jiufengshan — у серпні минулого року, ця лабораторія оголосила назовні про те, що в галузі матеріалів із фосфіду індію було досягнуто важливого технологічного прориву. Вперше було розроблено процес епітаксійного вирощування зовнішніх шарів (epitaxial growth) для детектора структур PIN на основі фосфіду індію (InP) 6 дюймів і лазера з FP-структурою, а ключові показники ефективності досягли міжнародно провідного рівня. Це заклало основу для масштабованого виробництва 6-дюймових фосфід-індієвих (InP) оптичних чипів. Лабораторія Jiufengshan підкреслила, що прорив у 6-дюймовій технології фосфіду індію потенційно може знизити собівартість китайських (вітчизняних) оптичних чипів до 60%-70% від поточного основного рівня собівартості для 3-дюймової технології, що допоможе посилити конкурентоспроможність вітчизняних оптичних чипів на ринку.   Лабораторія Jiufengshan також тоді зазначала, що в межах цього технологічного прориву ключові промислові технології для 6-дюймових високоякісних монокристалічних пластин фосфіду індію, які є партнерським проєктом з компанією Yunnan Xinyau (партнер з підкладок фосфіду індію 6 дюймів), уже досягли прориву й найближчим часом розпочнуть серійне виробництво.   Yunnan Germanium Industry була заснована в 1998 році; її попередником була Yunnan Lincang Xinyuan Germanium Co., Ltd. У 2002 році було завершено реформу акціонерного товариства. Спираючись на ресурси германію, що концентруються в Юньнані, з місцевих металургійних заводів та геологічних загонів розпочали як спільне підприємство. Завдяки накопиченню технологій виробництва германію понад 40 років компанія поступово розвинулася до лідера германієвої індустрії Китаю з найповнішим ланцюгом постачання, а також з першим місцем у країні за обсягом запасів ресурсів та за обсягами виробництва й продажів. Компанія вийшла на біржу Шеньчжень (SZSE) у 2010 році, у 2014 завершила інтеграцію ресурсів германію в Лінцані, а в останні роки почала розширення на високоякісні складні напівпровідникові матеріали, зокрема арсенід галію та фосфід індію.   Однак у Yunnan Germanium Industry нині тиск на фінансові результати зберігається, і компанія все ще перебуває у періоді «болісної трансформації». Згідно з прогнозом фінансових результатів, опублікованим компанією раніше, у 2025 році спостерігатиметься типовий сценарій «збільшення доходу без збільшення прибутку»: чистий прибуток, що належить акціонерам материнської компанії, становитиме лише 15-22 млн юанів, при цьому в річному вимірі — обвал на 58,57%-71,75%; чистий прибуток без урахування одноразових факторів (non-recurring) також переходить у збиток. Основною причиною є різке зростання цін на сировину, зокрема германієві концентрати та метал індій/галій, що призвело до того, що темпи зростання собівартості по кожній продуктовій лінії значно перевищили темпи зростання цін реалізації, а комплексна валова маржа істотно знизилась. Додатково, на тлі різкого збільшення витрат на НДДКР для нових напрямів, зокрема фосфіду індію, а також значного зростання фінансових витрат і втрат від знецінення за кредитами, зростання доходів повністю «з’їдене» витратами та зборами.   Хоча у 2025 році фінансові результати суттєво погіршилися й сценарій «збільшення доходу без збільшення прибутку» зберігся, ринок продовжує активно підтримувати ці довгострокові логічні фактори, зокрема: заміщення вітчизняним фосфідом індію (国产替代), сплеск попиту на AI-оптичний зв’язок, дефіцитність ресурсів германію тощо. У день оприлюднення вищезазначеної заяви, 3 квітня, акції Yunnan Germanium Industry різко пішли вгору: у ході торгів вони один раз досягли рівня «стоп-росту» (涨停). Максимальна ціна становила 52,25 юаня, а ціна закриття — 51,71 юаня; зростання становило 8,86%. За весь день загальний обсяг торгів склав 300k юанів, а оборотність — 16,64%. Від початку року котирування компанії вже зросли сумарно більш ніж на 60%. Потоки величезної кількості інформації та точна інтерпретація — усе в додатку Sina Finance APP
0
0
0
0