Vừa mới nghe tin Navitas ra mắt công nghệ MOSFET SiC thế hệ thứ 5 và thành thật mà nói, kỹ thuật ở đây khá ấn tượng. Họ gọi nó là Trench-Assisted Planar (TAP) và nó được thiết kế đặc biệt cho trung tâm dữ liệu AI và hạ tầng lưới điện.

Dưới đây là những điểm nổi bật khiến tôi chú ý. Dòng 1200V mới cho thấy cải thiện 35% về chỉ số RDS,ON × QGD so với thế hệ trước. Đây là mức tăng hiệu quả thực sự quan trọng trong các ứng dụng điện áp cao vì nó trực tiếp giảm thiểu tổn thất chuyển mạch và giúp thiết bị hoạt động mát hơn. Họ cũng đạt được cải thiện 25% về tỷ lệ QGD/QGS, nghĩa là chuyển mạch nhanh hơn, sạch hơn và chống nhiễu tốt hơn.

Khía cạnh độ bền cũng rất đáng chú ý. Họ đã thiết kế điện áp ngưỡng cao (VGS,TH ≥ 3V) để chống lại hiện tượng bật nguồn parasitic, cùng với tích hợp diode mềm (Soft Body-Diode) nhằm giảm EMI trong quá trình chuyển mạch nhanh. Đối với các hệ thống công suất tần số cao, đây là điểm đau thực sự đã được giải quyết.

Về độ tin cậy, họ đã thực hiện kiểm tra xác thực rất kỹ lưỡng. Thử nghiệm HTRB kéo dài gấp 3 lần, kiểm tra đảo ngược động, và họ tuyên bố thời gian thất bại của lớp oxit cổng dự kiến vượt quá 1 triệu năm ở điều kiện hoạt động. Đây là loại thông số kỹ thuật quan trọng cho các hạ tầng quan trọng, yêu cầu độ tin cậy cao.

Navitas định vị sản phẩm này là bổ sung cho dòng SiC điện áp cực cao 2300V và 3300V hiện có, nghĩa là họ đã bao phủ toàn bộ phổ điện áp. Họ cũng duy trì danh mục MOSFET GaN song song, giúp mở rộng phạm vi ứng dụng chuyển đổi công suất.

Chứng nhận AEC-Plus cũng rất đáng chú ý – nghĩa là các linh kiện này được kiểm tra vượt tiêu chuẩn ô tô thông thường, phù hợp cho các ứng dụng trung tâm dữ liệu và lưới điện, nơi thời gian hoạt động liên tục là tối quan trọng.

Họ cho biết các sản phẩm mới dựa trên nền tảng này sẽ ra mắt trong vài tháng tới, nếu bạn đang theo dõi các phát triển về bán dẫn công suất, thì đây là điều đáng chú ý. Những cải tiến về hiệu suất này có thể mang lại lợi ích lớn cho các nhà thiết kế hạ tầng công suất thế hệ mới.