Navitas Lanza la Tecnología MOSFET SiC de 5ª Generación para Impulsar Centros de Datos de Próxima Generación

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ha presentado su última generación de tecnología de MOSFET de carburo de silicio (SiC) diseñada para abordar las crecientes demandas de conversión de energía en infraestructuras de IA y sistemas energéticos. La compañía anunció la plataforma GeneSiC de 5ª generación el 12 de febrero de 2026, marcando un avance sustancial en el rendimiento de semiconductores de alta tensión. Esta nueva arquitectura combina un diseño de trinchera asistida planar de vanguardia con especificaciones de fiabilidad mejoradas, posicionando a Navitas como un actor clave en la tecnología MOSFET para centros de datos e infraestructura de red.

El avance llega en un momento crítico en el que los centros de datos de IA y las instalaciones de energía renovable requieren electrónica de potencia más eficiente y compacta para manejar las crecientes demandas operativas. La plataforma MOSFET actualizada de Navitas aborda estos desafíos mediante su arquitectura TAP más sofisticada hasta la fecha, ofreciendo a los profesionales del sector una vía para reducir el consumo de energía y los costos operativos en aplicaciones exigentes.

Avance en rendimiento: qué significa un 35% de eficiencia mejorada

La tecnología MOSFET de 5ª generación ofrece una mejora histórica del 35% en la figura de mérito RDS,ON × QGD en comparación con la generación anterior de 1200V, cambiando fundamentalmente la forma en que los diseñadores de sistemas abordan la optimización de la etapa de potencia. Este avance se traduce directamente en menores pérdidas de conmutación, un funcionamiento más fresco del dispositivo y la capacidad de operar a frecuencias más altas sin comprometer la estabilidad.

La tecnología logra una mejora adicional de aproximadamente el 25% en la relación QGD/QGS, permitiendo tiempos de respuesta de puerta más rápidos. Cuando se combina con la especificación robusta de voltaje umbral alto (VGS,TH ≥ 3V) de la plataforma, la nueva generación de MOSFET demuestra una inmunidad excepcional contra eventos parasitarios de encendido. Esta característica resulta especialmente valiosa en entornos industriales con alto nivel de ruido, donde la integridad de la señal impacta directamente en la fiabilidad del sistema.

La plataforma de 5ª generación también optimiza la característica RDS(ON) × EOSS mientras integra tecnología propietaria de diodo de cuerpo suave. Esta integración minimiza la interferencia electromagnética (EMI) durante ciclos de conmutación a alta velocidad y asegura una conmutación más suave, proporcionando mejoras en la estabilidad a nivel de sistema que van mucho más allá del rendimiento individual del MOSFET.

Normas de fiabilidad mejoradas para aplicaciones críticas

Navitas sometió esta generación de MOSFET a pruebas de calificación AEC-Plus, que superan los estándares industriales para fiabilidad automotriz e industrial. La validación incluye:

• Protocolos de prueba estática extendidos, que duran 3 veces más que los procedimientos de estrés convencionales (HTRB, HTGB, HTGB-R)
• Pruebas avanzadas de fiabilidad dinámica, incluyendo estrés por polarización inversa (DRB) y conmutación de puerta (DGS) para simular perfiles de misión de conmutación rápida en el mundo real
• Medidas de desplazamiento del VGS,TH más bajas durante ciclos de conmutación prolongados, asegurando un rendimiento de eficiencia predecible a largo plazo
• Extrapolación de fiabilidad del óxido de puerta que supera los 1 millón de años a voltaje de operación (18V) y temperatura de unión de 175°C
• Resiliencia mejorada a rayos cósmicos con tasas de fallo en el tiempo (FIT) excepcionalmente bajas para entornos de alta altitud y operación continua

Estas especificaciones abordan directamente las preocupaciones de fiabilidad de los operadores de infraestructura que dependen de dispositivos semiconductores para mantener el tiempo de actividad del sistema y un rendimiento predecible durante décadas de operación.

Complemento a la tecnología GaN en todo el espectro de semiconductores de potencia

La nueva generación de MOSFET de SiC complementa las ofertas de voltaje ultra alto existentes de la plataforma GeneSiC de 4ª generación (líneas de 2300V y 3300V), creando un portafolio integral que abarca rangos de voltaje. Este enfoque permite a los diseñadores de sistemas seleccionar la tecnología MOSFET óptima—ya sea basada en GaN o SiC—según los requisitos específicos de la aplicación en centros de datos de IA, infraestructura de red y sistemas de electrificación industrial.

La estrategia de Navitas refleja la experiencia combinada de más de 30 años en tecnologías de semiconductores de banda ancha. La línea GaNFast continúa ofreciendo entrega rápida de potencia y alta densidad, mientras que el portafolio en expansión de MOSFET GeneSiC aborda aplicaciones de voltaje medio que requieren eficiencia superior y fiabilidad comprobada a largo plazo.

Impacto en el mercado y desarrollo futuro

Paul Wheeler, vicepresidente y director general de la Unidad de Negocios de SiC de Navitas, destacó el compromiso de la compañía con el apoyo a los clientes en los límites de la conversión de energía de la próxima generación: “Las mejoras tecnológicas significativas en nuestra tecnología GeneSiC de 5ª generación subrayan el compromiso de Navitas de ofrecer un rendimiento y fiabilidad líderes en la industria en MOSFET de carburo de silicio.”

Navitas planea anunciar nuevos productos que aprovechen esta plataforma de MOSFET de 5ª generación en los próximos meses. La compañía ha publicado un documento técnico completo sobre la tecnología de Trinchera Asistida Planar, disponible para descarga, que proporciona a los diseñadores de sistemas una guía técnica detallada para su implementación.

Con más de 300 patentes concedidas o en trámite y reconocimiento como la primera compañía de semiconductores certificada CarbonNeutral en el mundo, Navitas continúa estableciendo puntos de referencia en innovación en semiconductores de potencia en los sectores de MOSFET y tecnología de banda ancha.