Une entreprise japonaise développe une technologie permettant de fabriquer des semi-conducteurs de 1,4 nanomètre avec seulement 1/10 de la consommation d'énergie

Domtar Industries (DNP) a développé une technologie permettant de fabriquer des semi-conducteurs de pointe avec seulement un dixième de la consommation d’énergie. Des dispositifs destinés à la production de Canon, utilisant une nouvelle méthode, seront fabriqués à l’échelle de la production de masse en 2027, avec pour composant central la capacité de prendre en charge des produits de nouvelle génération en 1,4 nanomètre (1 nanomètre = un milliardième de mètre). Les coûts de fabrication des semi-conducteurs basés sur l’intelligence artificielle (IA) pourraient fortement baisser.

À l’heure actuelle, pour produire en série les semi-conducteurs les plus avancés, il faut utiliser des machines de lithographie par ultraviolets extrêmes (EUV) fabriquées uniquement par ASML Holdings, aux Pays-Bas. L’« étape de lithographie », qui consiste à dessiner les circuits sur une plaquette (substrat), représente 30 à 50 % du coût total de fabrication des semi-conducteurs. Plus les circuits sont fins, plus il y a d’étapes de lithographie, et plus la consommation d’énergie augmente. Le prix d’une machine de lithographie EUV est d’environ 30 milliards de yens, ce qui constitue un fardeau d’investissement lourd pour les fabricants de semi-conducteurs.

Quant à l’équipement de fabrication par « nanoimpression (Nanoimprint) » de Canon, il crée les circuits sur la plaquette par un procédé similaire à celui d’un tampon. DNP a développé une « matrice (template) » originale de circuits, équivalente à un tampon fin, pouvant aller jusqu’au procédé de 1,4 nanomètre. Jusqu’à présent, cette technologie ne permettait pas de fabriquer des semi-conducteurs avancés tels que le 2 nanomètre.

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